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2SK2220-E /Silicon N Channel MOS FET
2SK2220-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管极性:?频道

电流, Id 连续:8A

电压, Vds 最大:180V

在电阻RDS(上):1.5ohm

阈值电压, Vgs th 典型值:1.45V

功耗, Pd:100W

工作温度范围:-55°C 到 +150°C

封装类型:TO-3P

针脚数:3

SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)

功率, Pd:100W

功耗:100W

封装类型:TO-3P

晶体管数:1

温度 @ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

漏极电流, Id 最大值:8A

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:180V

电压, Vgs 最高:20V

电流, Idm 脉冲:8A

表面安装器件:通孔安装

针脚格式:1 g

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2SK2220-ESilicon N Channel MOS FET RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO72.02 Kbytes共6页2SK2220-E的PDF下载地址RJK6014DPP,HAT2160H,RJK6014DPK,HAT2165N,HAT2092R,2SJ549,2SK1167,2SK1328,2SK1519,2SK1669
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