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2SK2159 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.7A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道
2SK2159的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8.7A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻88mΩ @ 4.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型N沟道

供应商2SK2159
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2SK2159VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.7A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥1.0817
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