数据列表:2SK2145 -
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:JFET(结点场效应
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
电压 - 击穿(V(BR)GSS):-
漏源极电压(Vdss):-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):6mA @ 10V
漏极电流(Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):200mV @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 10V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74A,SOT-753
供应商器件封装:SMV
功率 - 最大值:300mW
其它名称:2SK2145-BL(TE85L,F)2SK2145-BL(TE85LF)TR2SK2145-BL(TE85LF)TR-ND2SK2145-BL(TE85LFTR2SK2145-BLTE85LF2SK2145BL(TE85LFTR2SK2145BL(TE85LFTR-ND