数据列表：2SK221100L View all Specifications

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：87pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：迷你型P3-F1

其它名称：2SK221100LTR