产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压500 V

闸/源击穿电压+/- 30 V

漏极连续电流20 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.35 Ohms

配置Single

最大工作温度+ 150 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体MTO-3P

最小工作温度- 55 C

功率耗散125 W

工厂包装数量30