数据列表：2SK0663G View All Specifications

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：JFET（结点场效应

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：-

漏源极电压（Vdss）：55V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：1mA @ 10V

漏极电流（Id） - 最大值：30mA

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：5V @ 10µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：6.5pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-85

供应商器件封装：S迷你型3-F2

功率 - 最大值：150mW

其它名称：2SK0663GRLTR