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2SK06630RL /Panasonic Electronic Components/分立半导体产品
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数据列表:2SK06630RL View all Specifications

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:JFET(结点场效应

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 沟道

电压 - 击穿(V(BR)GSS):-

漏源极电压(Vdss):55V

不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1mA @ 10V

漏极电流(Id) - 最大值:30mA

不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):5V @ 10µA

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6.5pF @ 10V

电阻 - RDS(开):-

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-70,SOT-323

供应商器件封装:S迷你型3-G1

功率 - 最大值:150mW

其它名称:2SK06630RLTR

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