FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4V，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）87nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4600pF @ 10V

功率耗散（最大值）2W（Ta），32W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）20 毫欧 @ 18A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220 隔离的标片

封装/外壳TO-220-3 隔离片

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs