2SJ668(TE16L1,NQ)
/MOSFET MOSFET P-Ch 60V 5A Rdson=0.17Ohm
2SJ668(TE16L1,NQ)的规格信息
制造商:Toshiba
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PW-Mold-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:5 A
Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:20 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Reel
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
产品:MOSFET Small Signal
系列:2SJ668
晶体管类型:1 P-Channel
宽度:5.5 mm
商标:Toshiba
下降时间:14 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:14 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFETs
单位重量:363 mg
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