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2SJ681 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.75W 类型:P沟道
2SJ681的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)55A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻10mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.75W

类型P沟道

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2SJ681(Q)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品50+:¥9.72
100+:¥9.28
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2SJ681(Q)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品50+:¥9.72
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2SJ681VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.75W 类型:P沟道1+:¥1.0817
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