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2SJ661-DL-1E /MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
2SJ661-DL-1E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:38 A

Rds On-漏源导通电阻:29.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:65 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:2SJ661

晶体管类型:1 P-Channel

商标:ON Semiconductor

下降时间:195 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:285 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:295 ns

典型接通延迟时间:33 ns

单位重量:2.200 g

供应商2SJ661-DL-1E
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