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2SJ655 /SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation/分立半导体产品
2SJ655的规格信息
2SJ655的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:100

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:散装

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):136 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2090pF @ 20V

功率 - 最大值:2W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商器件封装:TO-220ML

其它名称:869-1052

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2SJ655P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications SANYO[Sanyo Semicon Device]SANYO[Sanyo Semicon Device]的LOGO47.25 Kbytes共5页2SJ655的PDF下载地址MCH3374,2SJ635,MCH6629,MCH6635,3HP04MH,MCH3315,MCH5823,MCH3316,6LP04MH,MCH3320
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