典型关断延迟时间495 ns

典型接通延迟时间53 ns

典型栅极电荷@Vgs120 nC V @ 10

典型输入电容值@Vds6500 pF V @ 20

安装类型通孔

宽度4.5mm

封装类型TO-220ML

尺寸10 x 4.5 x 8.8mm

引脚数目3

最低工作温度-55 °C

最大功率耗散2000 mW

最大栅源电压±20 V

最大漏源电压60 V

最大漏源电阻值0.025

最大连续漏极电流37 A

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目1

类别功率 MOSFET

通道模式增强

通道类型P

配置单

长度10mm

高度8.8mm