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2SJ179 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
2SJ179的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）6A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻50mΩ @ 7A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W

类型P沟道

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立创商城		2SJ179VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道1+:￥0.8542
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30+:￥0.6033
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