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2SJ01630RL /Panasonic Electronic Components/分立半导体产品
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:2SJ01630RL View all Specifications

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:JFET(结点场效应

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:P 沟道

电压 - 击穿(V(BR)GSS):-

漏源极电压(Vdss):-

不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):600µA @ 10V

漏极电流(Id) - 最大值:20mA

不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1.5V @ 10µA

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12pF @ 10V

电阻 - RDS(开):300 欧姆

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:迷你型3-G1

功率 - 最大值:150mW

其它名称:2SJ01630RLTR

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