数据列表：2SJ058200L View all Specifications

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：400pF @ 20V

功率 - 最大值：10W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：U-G2

其它名称：2SJ058200LTR