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2SJ162 /Renesas Electronics America/分立半导体产品
2SJ162的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:散装

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):160V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):-

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 10V

功率 - 最大值:100W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装:TO-3P

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2SJ162-ERenesas Electronics CorporationTrans MOSFET P-CH 160V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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