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2SJ177 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：P沟道
2SJ177的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）30A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻50mΩ @ 14A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.1W

类型P沟道

供应商2SJ177
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2SJ177SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING HITACHI[Hitachi Semiconductor]HITACHI[Hitachi Semiconductor]的LOGO268.87 Kbytes共2页2SJ177的PDF下载地址2SJ173,2SJ174,2SJ176,2SJ220L,2SJ484,2SJ496,H7N0308AB,2SJ526,2SJ545,2SK2553
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10+:￥1.69
30+:￥1.58
100+:￥1.47
500+:￥1.42
1000+:￥1.4
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