数据列表:2SJ01640RA View all Specifications
标准包装:5,000
类别:分立半导体产品
家庭:JFET(结点场效应
系列:-
包装:带盒(TB)
FET 类型:P 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS):-
漏源极电压(Vdss):-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):600µA @ 10V
漏极电流(Id) - 最大值:20mA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1.5V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 10V
电阻 - RDS(开):300 欧姆
安装类型:通孔
封装/外壳:3-SIP
供应商器件封装:NS-A1
功率 - 最大值:300mW
其它名称:2SJ01640RATB