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2SA1972(TE6,F,M) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SA1972(TE6,F,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带盒(TB)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):400V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):-

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V

功率 - 最大值:900mW

频率 - 跃迁:35MHz

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体

供应商器件封装:LSTM

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