2SA1972(TE6,F,M)
/Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SA1972(TE6,F,M)的规格信息
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
包装:带盒(TB)
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):400V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V
功率 - 最大值:900mW
频率 - 跃迁:35MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装:LSTM
2SA1972(TE6,F,M)
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深圳市芯世界半导体有限公司 | 2SA1972(TE6,F,M) | 深圳市福田区华强电子世界1号楼10A8240 | 13267088774(微信同号) | Sam |   | 询价 |
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