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2SA1943N(S1,E,S) /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
2SA1943N(S1,E,S)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3P-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 230 V

集电极—基极电压 VCBO:- 230 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V

集电极—射极饱和电压:- 1.1 V

最大直流电集电极电流:- 15 A

增益带宽产品fT:30 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:2SA1943N

直流电流增益 hFE 最大值:160

商标:Toshiba

集电极连续电流:- 15 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:35

Pd-功率耗散:150 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:25

子类别:Transistors

单位重量:7 g

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Digi-Key 得捷电子		2SA1943N(S1,E,S)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品1+:￥16.43
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