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2SA1941-O(Q) /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 140 V

集电极—基极电压 VCBO:- 140 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V

集电极—射极饱和电压:2 V

增益带宽产品fT:30 MHz

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:83

商标:Toshiba

集电极连续电流:10 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:35

Pd-功率耗散:100 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:4000

子类别:Transistors

单位重量:4.700 g

供应商2SA1941-O(Q)
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2SA1941-O(Q)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品1+:¥37.2799
10+:¥12.81
50+:¥11.29
100+:¥11.29
200+:¥11.08
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