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2SA1955FVATPL3Z /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SA1955FVATPL3Z的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:8,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):400mA

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V

功率 - 最大值:100mW

频率 - 跃迁:130MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-101,SOT-883

供应商器件封装:CST3

其它名称:2SA1955FV-A(TPL3,Z2SA1955FVATPL3ZTR

供应商2SA1955FVATPL3Z
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2SA1955FVATPL3ZToshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品8000+:¥0.51
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2SA1955FVATPL3ZToshiba双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO1:¥3.9211
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