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2SA1955FVATPL3Z /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SA1955FVATPL3Z的规格信息
2SA1955FVATPL3Z的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：8,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：400mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：300 @ 10mA，2V

功率 - 最大值：100mW

频率 - 跃迁：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-101，SOT-883

供应商器件封装：CST3

其它名称：2SA1955FV-A(TPL3,Z2SA1955FVATPL3ZTR

供应商2SA1955FVATPL3Z
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