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2SA1954-A(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SA1954-A(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：300 @ 10mA，2V

功率 - 最大值：100mW

频率 - 跃迁：130MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：USM

其它名称：2SA1954-A(TE85LF)TR

供应商2SA1954-A(TE85L,F)
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100+:￥1.72
250+:￥1.25
500+:￥1.02
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Digi-Key 得捷电子		2SA1954-A(TE85L,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT PNP Transistor -12V USM -0.5A -0.03V1+:￥3.72
10+:￥2.62
25+:￥2.15
100+:￥1.72
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25+:￥2.15
100+:￥1.72
250+:￥1.25
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1000+:￥0.791+:￥2.96
10+:￥1.71
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1000+:￥0.62
3000+:￥0.58
9000+:￥0.56
24000+:￥0.56
45000+:￥0.51
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