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2SA1955FVBTPL3Z /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
2SA1955FVBTPL3Z的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-723-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 12 V

集电极—射极饱和电压:- 0.03 V

系列:2SA1955

直流电流增益 hFE 最大值:1000

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Toshiba

集电极连续电流:- 0.4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:300

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:8000

子类别:Transistors

供应商2SA1955FVBTPL3Z
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2SA1955FVBTPL3ZToshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品1+:¥2.9
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