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TK10E60W,S1VX /MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
TK10E60W,S1VX的规格信息
TK10E60W,S1VX的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:9.7 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:100 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:15.1 mm

长度:10.16 mm

系列:TK10E60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.45 mm

商标:Toshiba

下降时间:5.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:45 ns

单位重量:6 g

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深圳市辉华拓展电子有限公司TK10E60W,S1VX(S深圳市福田区华富路1006号航都大厦11FG0755-83867989
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连洪彬skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司TK10E60W,S1VX华强北街道华强广场A座20J0755-23991129
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市创芯弘科技有限公司TK10E60W,S1VX华富路华匀大厦2栋0755-88377859
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深圳市壹芯创科技有限公司TK10E60W,S1VX华匀大厦1栋2310755-82796631
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安富利电子(西安)有限公司TK10E60W,S1VX高新区金桥国际广场A座10701室029-88811644
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TK10E60W,S1VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
100+:¥14.92
250+:¥13.46
500+:¥12.07
1000+:¥10.1801
2500+:¥9.67011+:¥16.23
10+:¥14.49
100+:¥11.84
250+:¥10.77
500+:¥10.77
1000+:¥10.28
2500+:¥9.89
5000+:¥9.64
10000+:¥9.041+:¥11.93
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Digi-Key 得捷电子
TK10E60W,S1VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
100+:¥14.92
250+:¥13.46
500+:¥12.07
1000+:¥10.1801
2500+:¥9.6701
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Mouser 贸泽电子
TK10E60W,S1VXToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC1:¥21.5152
10:¥17.289
100:¥15.8313
250:¥14.2945
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Mouser 贸泽电子
TK10E60W,S1VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
100+:¥14.92
250+:¥13.46
500+:¥12.07
1000+:¥10.1801
2500+:¥9.67011+:¥16.23
10+:¥14.49
100+:¥11.84
250+:¥10.77
500+:¥10.77
1000+:¥10.28
2500+:¥9.89
5000+:¥9.64
10000+:¥9.04
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