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TK10A60D(STA4,Q,M) /FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A
TK10A60D(STA4,Q,M)的规格信息
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制造厂商:Toshiba America Electronic Components, Inc.

描述:FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A

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TK10A60D(STA4,Q,M)MOSFET MOSFET N-ch 600V 10AToshibaToshiba的LOGO266.60 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址
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TK10A60D(STA4,Q,M)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO248.70 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址
TK10A60D的全球分销商及价格
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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
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Avnet Express
TK10A60DToshiba America Electronic ComponentsN-CH MOS TYPE 600V 10A RDS=0.62OHM2,500 : $0.57
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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
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TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1:¥17.2099
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TK10A60D(STA4,Q,M)TOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道1+:¥12.71
10+:¥9.48
30+:¥8.88
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