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TK10A80W,S4X /MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
TK10A80W,S4X的规格信息
TK10A80W,S4X的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220SIS-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:9.5 A

Rds On-漏源导通电阻:460 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:19 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:40 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

系列:TK10A80W

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Toshiba

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:120 ns

典型接通延迟时间:65 ns

单位重量:2 g

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TK10A80W,S4XToshibaMOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W1:¥21.9785
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100:¥16.1364
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