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TK10A80E,S4X /MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
TK10A80E,S4X的规格信息
TK10A80E,S4X的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:700 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:46 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:50 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK10A80E

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:140 ns

典型接通延迟时间:80 ns

单位重量:6 g

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TK10A80E,S4XToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥17.6
10+:¥15.8799
25+:¥14.18
100+:¥12.76
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500+:¥9.93
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Mouser 贸泽电子
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