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TK10A55D(STA4,Q,M) /
TK10A55D(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):550V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC

电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1200pF

电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V

功率耗散(最大值):45W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):720 毫欧 @ 5A,10V

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220SIS

封装/外壳:TO-220-3 整包

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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深圳市创芯弘科技有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)华富路华匀大厦2栋0755-88377859
17673093037
刘心Email:308007118@qq.COM询价
深圳市科美奇科技有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)赛格广场30楼3002室【公司非常欢迎您的到来】0755-83218135,83214146
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安富利电子(西安)有限公司TK10A55D(STA4,Q,M)高新区金桥国际广场A座10701室029-88811644
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