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TK10A60W,S4VX /MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC
TK10A60W,S4VX的规格信息
TK10A60W,S4VX的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:9.7 A

Rds On-漏源导通电阻:327 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:20 nC

Pd-功率耗散:30 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK10A60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:5.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:45 ns

单位重量:6 g

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TK10A60W,S4VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
100+:¥14.92
250+:¥13.46
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TK10A60W,S4VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC1+:¥20.36
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250+:¥13.461+:¥16.23
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TK10A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC1:¥21.5152
10:¥17.289
100:¥15.8313
250:¥14.2945
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TK10A60W,S4VXToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC1+:¥20.36
10+:¥18.18
25+:¥16.36
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250+:¥13.461+:¥16.23
10+:¥14.49
100+:¥11.84
250+:¥10.77
500+:¥10.77
1000+:¥10.28
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10000+:¥9.041+:¥9.39
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