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ZXMS6004N8-13 /MOSFET 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
ZXMS6004N8-13的规格信息
ZXMS6004N8-13的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:1.3 A

Rds On-漏源导通电阻:600 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:-

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.28 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:IntelliFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

产品:MOSFET

系列:ZXMS6004

类型:Intellifet

宽度:3.9 mm

商标:Diodes Incorporated

下降时间:15 us

产品类型:MOSFET

上升时间:10 us

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 us

典型接通延迟时间:5 us

单位重量:74 mg

供应商ZXMS6004N8-13
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ZXMS6004N8-1360V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO717.68 Kbytes共8页ZXMS6004N8-13的PDF下载地址
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ZXMS6004N8-13Diodes IncorporatedIC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO$0.67000
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ZXMS6004N8-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ1:¥4.6104
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