Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：4,000

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：250V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：265mA

Rds（最大）@ ID，VGS：14 Ohm @ 200mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：3.45nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：73pF @ 25V

功率 - 最大：2W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：SOT-223

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：265mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：2V @ 1mA

封装/外壳：TO-261-4, TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：14 Ohm @ 200mA, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2W

标准包装：4,000

漏极至源极电压（Vdss）：250V

输入电容（Ciss ） @ VDS：73pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：3.45nC @ 10V