图像仅供参考,请参阅规格书
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)100mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)20 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)6pF @ 3V
功率 - 最大值200mW
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装6-SuperMiniMold
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs