FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)56 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)13.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)640pF @ 10V
功率 - 最大值1.12W
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerWDFN
供应商器件封装8-SOP
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs