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UPA651TT-E2-A /Renesas Electronics America/分立半导体产品
UPA651TT-E2-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):69 毫欧 @ 2.5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):600pF @ 10V

功率 - 最大值:200mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-WSOF

供应商器件封装:6-WSOF

供应商UPA651TT-E2-A
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