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UNR422100A /
UNR422100A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型NPN - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值)500mA

电压 - 集射极击穿(最大值)50V

电阻器 - 基底(R1)2.2 kOhms

电阻器 - 发射极基底(R2)2.2 kOhms

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)40 @ 100mA,10V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值)1µA

频率 - 跃迁200MHz

功率 - 最大值300mW

安装类型通孔

封装/外壳NS-B1

供应商器件封装NS-B1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商UNR422100A
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深圳市芯幂科技有限公司UNR422100A深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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UNR422100APanasonic Corporation晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品1+:¥3.34
25+:¥2.3499
100+:¥2.0099
250+:¥1.74
500+:¥1.5001
1000+:¥1.1601