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UNR42170RA /
UNR42170RA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型NPN - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)50V

电阻器 - 基底(R1)22 kOhms

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)160 @ 5mA,10V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值)500nA

频率 - 跃迁150MHz

功率 - 最大值300mW

安装类型通孔

封装/外壳NS-B1

供应商器件封装NS-B1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商UNR42170RA
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深圳市宇浩扬科技有限公司UNR42170RA深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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UNR42170RAPanasonic Corporation晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品价格未公开