晶体管类型PNP - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）50V

电阻器 - 基底（R1）10 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2）10 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）60 @ 100mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）250mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）1µA

频率 - 跃迁200MHz

功率 - 最大值300mW

安装类型通孔

封装/外壳3-SSIP

供应商器件封装NS-B1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs