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UNR421L00A /
UNR421L00A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型NPN - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)50V

电阻器 - 基底(R1)4.7 kOhms

电阻器 - 发射极基底(R2)4.7 kOhms

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)20 @ 5mA,10V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值)500nA

频率 - 跃迁150MHz

功率 - 最大值300mW

安装类型通孔

封装/外壳NS-B1

供应商器件封装NS-B1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商UNR421L00A
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深圳市芯幂科技有限公司UNR421L00A深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司UNR421L00A深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
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深圳市泓建半导体有限公司UNR421L00A深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B1218617195508
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深圳市华科芯电子科技有限公司UNR421L00A深圳市福田区红荔路3011号上步工业区501栋415室0755-83228535
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UNR421L00APanasonic Corporation晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品价格未公开