晶体管类型PNP - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）50V

电阻器 - 基底（R1）1 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2）10 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）30 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）500nA

频率 - 跃迁80MHz

功率 - 最大值300mW

安装类型通孔

封装/外壳NS-B1

供应商器件封装NS-B1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs