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UMW8205A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:双N沟道
UMW8205A的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻27mΩ @ 5A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)830mW

类型双N沟道

供应商UMW8205A
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UMW8205A连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:双N沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO695.24 Kbytes共4页UMW8205A的PDF下载地址
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UMW8205AUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:双N沟道10+:¥0.28562
100+:¥0.215644
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1000+:¥0.189939
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