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UMW2N7002B /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道

UMW2N7002B的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）115mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻5Ω @ 500mA,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）225mW

类型N沟道

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UMW2N7002B	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道	UMW(友台半导体)		1.18 Mbytes	共2页		无

UMW2N7002B的全球分销商及价格

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立创商城	UMW2N7002B	UMW(友台半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道	50+:￥0.092351 500+:￥0.069663 1500+:￥0.065496 5000+:￥0.061329 25000+:￥0.059476 50000+:￥0.058561

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