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UMW2N7002B /连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道
UMW2N7002B的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)115mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻5Ω @ 500mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)225mW

类型N沟道

供应商UMW2N7002B
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UMW2N7002B连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO1.18 Mbytes共2页UMW2N7002B的PDF下载地址
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UMW2N7002BUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道50+:¥0.092351
500+:¥0.069663
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5000+:¥0.061329
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