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UMW30N06 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W(Tc) 类型:N沟道
UMW30N06的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 15A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)34.7W(Tc)

类型N沟道

供应商UMW30N06
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UMW30N06UMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W(Tc) 类型:N沟道1+:¥0.9919
10+:¥0.7518
30+:¥0.7077
100+:¥0.6636
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1000+:¥0.6344