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UMW30N06 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.7W(Tc) 类型：N沟道

UMW30N06的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）25A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 15A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）34.7W(Tc)

类型N沟道

UMW30N06

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UMW30N06	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.7W(Tc) 类型：N沟道	UMW(友台半导体)		1.77 Mbytes	共5页		无

UMW30N06的全球分销商及价格

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立创商城	UMW30N06	UMW(友台半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.7W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥0.9919 10+:￥0.7518 30+:￥0.7077 100+:￥0.6636 500+:￥0.6441 1000+:￥0.6344

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