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UMW7N65F /连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
UMW7N65F的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻1.4Ω @ 3.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)-

类型N沟道

供应商UMW7N65F
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UMW7N65F连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO1.51 Mbytes共8页UMW7N65F的PDF下载地址
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UMW7N65FUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道1+:¥1.4965
10+:¥1.0808
30+:¥1.0044
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500+:¥0.8941
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