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UMW5N65F /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
UMW5N65F的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻2Ω @ 2.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)

类型N沟道

供应商UMW5N65F
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UMW5N65F连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO2.91 Mbytes共9页UMW5N65F的PDF下载地址
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UMW5N65FUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.4102
10+:¥1.0603
30+:¥0.996
100+:¥0.9318
500+:¥0.9032
1000+:¥0.8891