TSF9N90M
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
TSF9N90M的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）900V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）9A(Tc)
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻1.4Ω @ 4.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）48W(Tc)
类型N沟道
TSF9N90M
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| TSF9N90M | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：900V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道 | Truesemi(信安) |  | 927.97 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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10+:￥3.96
30+:￥3.72
100+:￥3.47
500+:￥3.36
1000+:￥3.31
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