TSF8N65M
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
TSF8N65M的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）7.5A(Tc)
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻1.5Ω @ 3.75A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）48W(Tc)
类型N沟道
TSF8N65M
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| TSF8N65M | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道 | Truesemi(信安) |  | 1.14 Mbytes | 共9页 |  | 无 |
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10+:￥1.4541
30+:￥1.366
100+:￥1.2778
500+:￥1.2387
1000+:￥1.2193
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