TSF840MR
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:800mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45.5W(Tc) 类型:N沟道
TSF840MR的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻800mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45.5W(Tc)
类型N沟道
TSF840MR
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TSF840MR | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:800mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45.5W(Tc) 类型:N沟道 | Truesemi(信安) |  | 659.92 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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