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TSF65R360S2 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32W(Tc) 类型:N沟道
TSF65R360S2的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)13A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻380mΩ @ 6.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)32W(Tc)

类型N沟道

供应商TSF65R360S2
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集好芯城TSF65R360S2深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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TSF65R360S2连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32W(Tc) 类型:N沟道Truesemi(信安)Truesemi(信安)的LOGO2.13 Mbytes共9页TSF65R360S2的PDF下载地址
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TSF65R360S2Truesemi(信安)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):32W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.5
10+:¥3.32
30+:¥3.1
100+:¥2.88
500+:¥2.79
1000+:¥2.74